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VS-GB100TH120N

VS-GB100TH120N

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制造商部分
VS-GB100TH120N
制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
8711
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:-
配置:Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):200 A
功率 - 最大值:833 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
输入电容 (cies) @ vce:8.58 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Double INT-A-PAK (3 + 4)
供应商设备包:Double INT-A-PAK

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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