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APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

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制造商部分
APTGT35H120T1G
制造商
Microsemi
描述
IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
8621
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:Trench Field Stop
配置:Full Bridge Inverter
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):55 A
功率 - 最大值:208 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 35A
电流 - 集电极截止(最大值):250 µA
输入电容 (cies) @ vce:2.5 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:Yes
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:SP1
供应商设备包:SP1

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