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IRF6150

IRF6150

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制造商部分
IRF6150
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
系列
-
有存货
7631
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:HEXFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:7.9A
rds on (max) @ id, vgs:36mOhm @ 7.9A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
功率 - 最大值:3W
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:16-WFBGA
供应商设备包:16-FlipFet™

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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