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BSM25GD120DN2BOSA1

BSM25GD120DN2BOSA1

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制造商部分
BSM25GD120DN2BOSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT MOD 1200V 35A 200W
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
5467
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Not For New Designs
igbt型:-
配置:Full Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):35 A
功率 - 最大值:200 W
vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 25A
电流 - 集电极截止(最大值):800 µA
输入电容 (cies) @ vce:1.65 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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