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BSM75GD120DN2BOSA1

BSM75GD120DN2BOSA1

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制造商部分
BSM75GD120DN2BOSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT MOD 1200V 103A 520W
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
5394
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Not For New Designs
igbt型:-
配置:Three Phase Inverter
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):103 A
功率 - 最大值:520 W
vce(on) (max) @ vge, ic:3V @ 15V, 75A
电流 - 集电极截止(最大值):1.5 mA
输入电容 (cies) @ vce:5.1 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module

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