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1N5230BT/R

1N5230BT/R

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制造商部分
1N5230BT/R
制造商
EIC Semiconductor, Inc.
描述
DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
类别
分立半导体产品
家庭
二极管 - 齐纳 - 单
系列
-
有存货
50000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
电压 - 齐纳 (nom) (vz):4.7 V
宽容:±5%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗(最大)(zzt):19 Ohms
电流 - 反向泄漏@ vr:5 µA @ 2 V
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.1 V @ 200 mA
工作温度:175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:DO-204AH, DO-35, Axial
供应商设备包:DO-35

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