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NXPSC16650B6J

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制造商部分
NXPSC16650B6J
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
SILICON CARBIDE POWER DIODE
类别
分立半导体产品
家庭
二极管 - 整流器 - 单
有存货
16570
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 二极管型:Silicon Carbide Schottky
  • 电压 - 直流反向 (vr) (max):650 V
  • 电流 - 平均整流 (io):16A
  • 电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.7 V @ 16 A
  • 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 电流 - 反向泄漏@ vr:100 µA @ 650 V
  • 电容@vr, f:534pF @ 1V, 1MHz
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商设备包:D2PAK
  • 工作温度 - 结:175°C (Max)
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