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HGTD8P50G1S

HGTD8P50G1S

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制造商部分
HGTD8P50G1S
制造商
Harris Corporation
描述
8A, 500V P-CHANNEL IGBT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
6865
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):500 V
电流 - 集电极 (ic) (max):12 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):18 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 3A
功率 - 最大值:66 W
开关能量:-
输入类型:Standard
栅极电荷:30 nC
td(开/关)@ 25°c:-
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:TO-252AA

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