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NTMFS0D8N02P1ET1G

NTMFS0D8N02P1ET1G

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制造商部分
NTMFS0D8N02P1ET1G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
14904500
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:55A (Ta), 365A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:680µOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 2mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):+16V, -12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:8600 pF @ 13 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.2W (Ta), 139W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包/箱:8-PowerTDFN, 5 Leads

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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