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BLF10H6600P112

BLF10H6600P112

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制造商部分
BLF10H6600P112
制造商
NXP Semiconductors
描述
POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT539 (
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
系列
-
有存货
14
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:*
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:-
电流 - 集电极 (ic) (max):-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):-
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:-
电流 - 集电极截止(最大值):-
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:-
功率 - 最大值:-
频率转换:-
工作温度:-
安装类型:-
包/箱:-
供应商设备包:-

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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