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PDTD113ZS,126

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制造商部分
PDTD113ZS,126
制造商
NXP Semiconductors
描述
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单,预偏置
系列
-
有存货
8627
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Box (TB)
零件状态:Obsolete
晶体管型:NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50 V
电阻器 - 基极 (r1):1 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):10 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率转换:-
功率 - 最大值:500 mW
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商设备包:TO-92-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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