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MTZJT-779.1C

MTZJT-779.1C

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制造商部分
MTZJT-779.1C
制造商
ROHM Semiconductor
描述
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
类别
分立半导体产品
家庭
二极管 - 齐纳 - 单
系列
-
有存货
8368
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Box (TB)
零件状态:Obsolete
电压 - 齐纳 (nom) (vz):9.1 V
宽容:±3%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗(最大)(zzt):20 Ohms
电流 - 反向泄漏@ vr:500 nA @ 6 V
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:-
工作温度:-
安装类型:Through Hole
包/箱:DO-204AG, DO-34, Axial
供应商设备包:MSD

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