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HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

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制造商部分
HGTP2N120CN
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
9144
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):13 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):20 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 2.6A
功率 - 最大值:104 W
开关能量:96µJ (on), 355µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:30 nC
td(开/关)@ 25°c:25ns/205ns
测试条件:960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-220-3
供应商设备包:TO-220-3

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