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GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

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制造商部分
GPA030A135MN-FDR
制造商
SemiQ
描述
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
8848
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1350 V
电流 - 集电极 (ic) (max):60 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 30A
功率 - 最大值:329 W
开关能量:4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:300 nC
td(开/关)@ 25°c:30ns/145ns
测试条件:600V, 30A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):450 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-3
供应商设备包:TO-3PN

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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