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FQAF22P10

FQAF22P10

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制造商部分
FQAF22P10
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
7994
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:QFET®
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):100 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:16.6A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:125mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):70W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-3PF
包/箱:TO-3P-3 Full Pack

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