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SSM3J14TTE85LF

SSM3J14TTE85LF

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制造商部分
SSM3J14TTE85LF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
6537
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:U-MOSII
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.7A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:85mOhm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:413 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):700mW (Ta)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TSM
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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