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GA100JT12-227

GA100JT12-227

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制造商部分
GA100JT12-227
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
3529
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:-
技术:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (vdss):1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:160A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 100A
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:14400 pF @ 800 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):535W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
供应商设备包:SOT-227
包/箱:SOT-227-4, miniBLOC

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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