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BC857C/DG/B4R

BC857C/DG/B4R

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制造商部分
BC857C/DG/B4R
制造商
Nexperia
描述
TRANSISTOR GEN PURP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
系列
-
有存货
4671
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
晶体管型:PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):45 V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值):15nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:125 @ 2mA, 5V
功率 - 最大值:250 mW
频率转换:100MHz
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包:TO-236AB

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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