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IS61DDB21M18A-300M3L

IS61DDB21M18A-300M3L

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制造商部分
IS61DDB21M18A-300M3L
制造商
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
描述
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
类别
集成电路
家庭
记忆
系列
-
有存货
8936
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Active
内存类型:Volatile
内存格式:SRAM
技术:SRAM - Synchronous, DDR II
内存大小:18Mb (1M x 18)
内存接口:Parallel
时钟频率:300 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 电源:1.71V ~ 1.89V
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:Surface Mount
包/箱:165-LBGA
供应商设备包:165-LFBGA (13x15)

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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