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FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

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制造商部分
FF200R12KE3B2HOSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT MOD 1200V 295A 1050W
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
系列
-
有存货
7180
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Active
igbt型:-
配置:Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):295 A
功率 - 最大值:1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
输入电容 (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
输入:Standard
ntc热敏电阻:No
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module

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