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PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ

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制造商部分
PDTD113EQAZ
制造商
NXP Semiconductors
描述
PDTD113 - 50V, 500 MA UPN RESIST
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 单,预偏置
系列
-
有存货
65000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (ic) (max):500 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50 V
电阻器 - 基极 (r1):1 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):1 kOhms
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:33 @ 50mA, 5V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率转换:210 MHz
功率 - 最大值:325 mW
安装类型:Surface Mount
包/箱:3-XDFN Exposed Pad
供应商设备包:DFN1010D-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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