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A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

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制造商部分
A2G26H281-04SR3
制造商
NXP Semiconductors
描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
2127
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)
零件状态:Active
晶体管型:LDMOS
频率:2.496GHz ~ 2.69GHz
获得:14.2dB
电压测试:48 V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流测试:150 mA
功率输出:50W
额定电压:125 V
包/箱:NI-780S-4L
供应商设备包:NI-780S-4L

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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