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PD20010-E

PD20010-E

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制造商部分
PD20010-E
制造商
STMicroelectronics
描述
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
2034
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
晶体管型:LDMOS
频率:2GHz
获得:11dB
电压测试:13.6 V
额定电流(安培):5A
噪声系数:-
电流测试:150 mA
功率输出:10W
额定电压:40 V
包/箱:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
供应商设备包:PowerSO-10RF (Formed Lead)

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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