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IGN1011L70

IGN1011L70

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制造商部分
IGN1011L70
制造商
Integra Technologies
描述
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
1528
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:GaN HEMT
频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
获得:22dB
电压测试:50 V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流测试:22 mA
功率输出:80W
额定电压:120 V
包/箱:PL32A2
供应商设备包:PL32A2

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