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APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

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制造商部分
APT50GP60B2DQ2G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
IGBT 600V 150A 625W TMAX
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
6031
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:POWER MOS 7®
包裹:Tube
零件状态:Not For New Designs
igbt型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):150 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):190 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 50A
功率 - 最大值:625 W
开关能量:465µJ (on), 635µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:165 nC
td(开/关)@ 25°c:19ns/85ns
测试条件:400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3 Variant
供应商设备包:-

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