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IRG4RC10KDTRPBF

IRG4RC10KDTRPBF

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制造商部分
IRG4RC10KDTRPBF
制造商
International Components Corp.
描述
IGBT WITH RECOVERY DIODE
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
2000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):9 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):18 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.62V @ 15V, 5A
功率 - 最大值:38 W
开关能量:250µJ (on), 140µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:19 nC
td(开/关)@ 25°c:49ns/97ns
测试条件:480V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):28 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:D-Pak

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