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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

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制造商部分
FGD3N60LSDTM-T
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
12500
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):6 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.5V @ 10V, 3A
功率 - 最大值:40 W
开关能量:250µJ (on), 1mJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:12.5 nC
td(开/关)@ 25°c:40ns/600ns
测试条件:480V, 3A, 470Ohm, 10V
反向恢复时间 (trr):234 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:TO-252, (D-Pak)

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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