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HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

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制造商部分
HGTG12N60C3D
制造商
Harris Corporation
描述
UFS SERIES N-CH IGBT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
6698
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):24 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 15A
功率 - 最大值:104 W
开关能量:380µJ (on), 900µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:48 nC
td(开/关)@ 25°c:-
测试条件:-
反向恢复时间 (trr):42 ns
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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