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APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

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制造商部分
APT13GP120BDQ1G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
IGBT 1200V 41A 250W TO247
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
5511
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:POWER MOS 7®
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):41 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):50 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 13A
功率 - 最大值:250 W
开关能量:115µJ (on), 165µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:55 nC
td(开/关)@ 25°c:9ns/28ns
测试条件:600V, 13A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247 [B]

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