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APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

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制造商部分
APT25GP90BDQ1G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
IGBT 900V 72A 417W TO247
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
5156
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:POWER MOS 7®
包裹:Tube
零件状态:Not For New Designs
igbt型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):900 V
电流 - 集电极 (ic) (max):72 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):110 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 25A
功率 - 最大值:417 W
开关能量:370µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:110 nC
td(开/关)@ 25°c:13ns/55ns
测试条件:600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247 [B]

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