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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

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制造商部分
APT35GP120B2DQ2G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
5070
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:POWER MOS 7®
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):96 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):140 A
vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 35A
功率 - 最大值:543 W
开关能量:750µJ (on), 680µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:150 nC
td(开/关)@ 25°c:16ns/95ns
测试条件:600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3 Variant
供应商设备包:-

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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