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NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLBT4G

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制造商部分
NGD18N45CLBT4G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
360
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):500 V
电流 - 集电极 (ic) (max):18 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):50 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 4.5V, 7A
功率 - 最大值:115 W
开关能量:-
输入类型:Logic
栅极电荷:-
td(开/关)@ 25°c:420ns/2.9µs
测试条件:300V, 1kOhm, 5V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:DPAK

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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