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FGA25N120ANTDTU-F109

FGA25N120ANTDTU-F109

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制造商部分
FGA25N120ANTDTU-F109
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
413
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:NPT and Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (ic) (max):50 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.65V @ 15V, 50A
功率 - 最大值:312 W
开关能量:4.1mJ (on), 960µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:200 nC
td(开/关)@ 25°c:50ns/190ns
测试条件:600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):350 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包:TO-3P

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