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IGA03N120H2XKSA1

IGA03N120H2XKSA1

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制造商部分
IGA03N120H2XKSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
464
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1.2 V
电流 - 集电极 (ic) (max):3 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 3A
功率 - 最大值:29 W
开关能量:290µJ
输入类型:Standard
栅极电荷:8.6 nC
td(开/关)@ 25°c:9.2ns/281ns
测试条件:800V, 3A, 82Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-220-3 Full Pack
供应商设备包:PG-TO220-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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