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GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

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制造商部分
GT30J121(Q)
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
4366
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:*
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):30 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 30A
功率 - 最大值:170 W
开关能量:1mJ (on), 800µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:-
td(开/关)@ 25°c:90ns/300ns
测试条件:300V, 30A, 24Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备包:TO-3P(N)

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