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HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

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制造商部分
HGTG18N120BN
制造商
Fairchild (ON Semiconductor)
描述
IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
737
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
igbt型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1.2 V
电流 - 集电极 (ic) (max):54 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):165 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 18A
功率 - 最大值:390 W
开关能量:800µJ (on), 1.8mJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:165 nC
td(开/关)@ 25°c:23ns/170ns
测试条件:960V, 18A, 3Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-247-3
供应商设备包:TO-247-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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