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STGB30H65DFB2

STGB30H65DFB2

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制造商部分
STGB30H65DFB2
制造商
STMicroelectronics
描述
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
85
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:HB2
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
igbt型:Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):50 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 30A
功率 - 最大值:167 W
开关能量:270µJ (on), 310µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:90 nC
td(开/关)@ 25°c:18.4ns/71ns
测试条件:400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):115 ns
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
供应商设备包:D2PAK-3

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