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RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

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制造商部分
RGT8NS65DGC9
制造商
ROHM Semiconductor
描述
IGBT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
1000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
igbt型:Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (ic) (max):8 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):12 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大值:65 W
开关能量:-
输入类型:Standard
栅极电荷:13.5 nC
td(开/关)@ 25°c:17ns/69ns
测试条件:400V, 4A, 50Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):40 ns
工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商设备包:TO-262

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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