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TPH3205WSB

TPH3205WSB

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制造商部分
TPH3205WSB
制造商
Transphorm
描述
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
43
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:36A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:2.6V @ 700µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 8 V
vgs (最大值):±18V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 400 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):125W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-247-3
包/箱:TO-247-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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