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SIR492DP-T1-GE3

SIR492DP-T1-GE3

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制造商部分
SIR492DP-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
1117
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):12 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:40A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 8 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3720 pF @ 6 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):4.2W (Ta), 36W (Tc)
工作温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® SO-8
包/箱:PowerPAK® SO-8

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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