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PH2625L,115

PH2625L,115

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制造商部分
PH2625L,115
制造商
NXP Semiconductors
描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
30821
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:*
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:100A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4308 pF @ 12 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):-
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:LFPAK56, Power-SO8
包/箱:SC-100, SOT-669

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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