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UF3SC065040D8S

UF3SC065040D8S

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制造商部分
UF3SC065040D8S
制造商
UnitedSiC
描述
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
2464
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:SiCFET (Cascode SiCJFET)
漏源电压 (vdss):650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:18A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):12V
rds on (max) @ id, vgs:58mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (最大值) @ id:6V @ 10mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 12 V
vgs (最大值):±25V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 100 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):125W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:4-DFN (8x8)
包/箱:4-PowerTSFN

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