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TPS1101D

TPS1101D

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制造商部分
TPS1101D
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
222
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):15 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11.25 nC @ 10 V
vgs (最大值):+2V, -15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
场效应管特征:-
功耗(最大值):791mW (Ta)
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-SOIC
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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