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NTE455

NTE455

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制造商部分
NTE455
制造商
NTE Electronics, Inc.
描述
MOSFET-DUAL GATE N-CH
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
404
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bag
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:25mA
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 10 V
场效应管特征:Standard
功耗(最大值):200mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 125°C
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:-
包/箱:SOT-103

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