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NVMTS0D4N04CTXG

NVMTS0D4N04CTXG

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制造商部分
NVMTS0D4N04CTXG
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
9132
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:79.8A (Ta), 558A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:0.45mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:251 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:16500 pF @ 20 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):5W
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-DFNW (8.3x8.4)
包/箱:8-PowerTDFN

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