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2SJ661-1E

2SJ661-1E

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制造商部分
2SJ661-1E
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
14650
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):60 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:38A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:-
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4360 pF @ 20 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.65W (Ta), 65W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-262-3
包/箱:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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