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NIF9N05CLT1G

NIF9N05CLT1G

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制造商部分
NIF9N05CLT1G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
13603
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):59 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:125mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
vgs (最大值):±15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:250 pF @ 35 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.69W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-223 (TO-261)
包/箱:TO-261-4, TO-261AA

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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