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PMN23UN,135

PMN23UN,135

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制造商部分
PMN23UN,135
制造商
NXP Semiconductors
描述
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
11649
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Not For New Designs
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.3A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:28mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:700mV @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:10.6 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:740 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.75W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:6-TSOP
包/箱:SC-74, SOT-457

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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