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CXDM3069N TR PBFREE

CXDM3069N TR PBFREE

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制造商部分
CXDM3069N TR PBFREE
制造商
Central Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
36000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.9A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:30mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1.4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vgs (最大值):12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:580 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.2W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-89
包/箱:TO-243AA

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