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NTLTS3107PR2G

NTLTS3107PR2G

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制造商部分
NTLTS3107PR2G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 5.9A 8DFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
3000
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.9A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:6500 pF @ 16 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):800mW (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)
包/箱:8-VDFN Exposed Pad

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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